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高纯多晶硅材料行业竞争新格局

2017-08-09 10:17:59
作者: 严大洲 李爱民 万烨 杨永亮 张升学 赵雄 何伟 汤
来源:知网

研究多晶硅生产的工艺技术、装备、产品质量、能耗、环保和成本等方面发生的巨大变化,提出维护高纯多晶硅健康发展的建议。

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    研究多晶硅生产的工艺技术、装备、产品质量、能耗、环保和成本等方面发生的巨大变化,提出维护高纯多晶硅健康发展的建议。


    1  高纯多晶硅的战略地位

    高纯多晶硅材料是信息产业和太阳能光伏发电产业的基础原材料,世界多个发达国家将其列为战略性材料,对其实施政策鼓励与财政支持。10年前,世界高纯多晶硅材料的生产主要集中在美国、德国和日本等发达国家的7家公司,对我国则实施技术封锁和市场垄断,国内需求长期依赖进口。

    在国家一系列政策的引导和支持下,经过多年的努力,2005年10月,洛阳中硅高科技有限公司依托中国恩菲工程技术有限公司建成的我国第一条产业化示范线顺利投产,打破了美、德、日3国多年的技术封锁和市场垄断;经过近几年的技术进步与产业扩张,实现了高纯多晶硅材料的规模化供应,我国多晶硅产量也跃居世界第一位,解决了国内多晶硅供应的瓶颈问题,为战略性新兴产业提供了基础原材料。最近,国内外多家大型多晶硅公司停产、破产或股东变更,国内光伏产业政策也有了新的调整意见[4],为未来高纯多晶硅发展带来了新的变化因素。但光伏产业的快速发展、成本的大幅降低,对产业结构和能源结构调整、二氧化碳减排和环境治理的效果初现,在充分的市场竞争过程中,产业链的源头高纯多晶硅材料生产与供应如何适应新的变化是本文研究的重点。

    2  高纯多晶硅的主流技术路线

    高纯多晶硅材料的生产方法有很多,如西门子法、三氯氢硅法、硅烷法、流化床法、冶金法、物理法等。生产方法的分类复杂,有按制备原料划分的、有按设备划分的、也有延用传统称号的,历史成因复杂,给行业带来许多混淆。经征询业内专家意见,本文采用以高纯多晶硅生产原料来划分,可分为三氯氢硅法和硅烷法,两种方法均可用化学气相沉积(CVD)炉和流化床反应器(FBR)分别生产棒状多晶硅和粒状多晶硅。而FBR只是一种生产设备,在三氯氢硅法和硅烷法中均已成功应用,不宜作为一种方法。至于冶金法或物理法,受质量稳定性和实际成本竞争力所限,未见大批量商业化市场供应,随着光伏市场竞争对质量要求的日益严苛及三氯氢硅法成本的大幅降低,该方法的研究日渐减少,本文暂不研究。

    三氯氢硅法(俗称:改良西门子法,后同)以生产棒状多晶硅为主,而硅烷法以生产粒状多晶硅为主,两种多晶硅料在硅片制造的铸锭或拉晶过程中配合使用,可增加装料量,有利于降低硅片制造成本。

    2015年全球多晶硅产能约47万t/a,当年产量约34.5万t,较2014年增长14.2%,增量多晶硅主要集中用于光伏制造领域。2015年电子级多晶硅产量约为2.9万t,约占世界多晶硅总产量的8%,生产主要集中在美国、德国和日本,我国仅有少量供应,国产规模化供应需要系统的全面提升。世界前10位多晶硅企业的生产技术、产能与产量见表1。

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    2015年世界总产能中,三氯氢硅法约占95%。世界前10的多晶硅企业2015年总产量为28.07万t,约占世界总产量的81.37%,同比增长8.8%;产能集中度进一步提高,世界前10的多晶硅企业产量中,我国占4位。

    预计2016年世界多晶硅有效产能约49万t/a,产量约38万t,分别较2015年增加4.25%和10.1%;我国5家企业有望进入世界前10。2016年硅烷法粒状多晶硅产能和产量有望达到3万t和1.8万t,分别占世界份额的6.1%和4.7%。

    硅烷法在业内已有几十年的历史,2012年以来,业内对硅烷法流化床粒状多晶硅技术讨论热烈,将进一步降低多晶硅成本的期望寄托于此。美国SunEdison(前MEMC,后同)在韩国的工厂已建成并试产,其在美国本地也有两家企业分别投资建设硅烷法粒状多晶硅项目。其中已进入调试及投产的公司均遇到不同程度的困难,进度均有延期,能否达到预期还需时间考验。当然,项目的最终发展取决于该技术的安全、环保、大规模化、质量和成本等因素,未来发展值得期待。

    我国多晶硅产业规模化生产始于2005年,2007年实现千吨级产量规模化生产。2008年和2010年是多晶硅产业两个大规模建设时间段,期间多晶硅价格的峰值分别达到450美元/kg和120美元/kg。由于资本的逐利性,导致许多企业铤而走险,涉足对其自身而言较陌生的多晶硅行业,我国先后建成多晶硅企业近50家,但由于大部分企业无技术和管理提升能力,不能形成持续降本能力,有些企业短期投产后就进入停产状态,有些企业还未投产即宣告停建或破产,严酷的市场洗礼已无情淘汰了这部分企业;即使有规模效应的企业,其前期投入的部分落后产能也已被淘汰。受技术团队、资金实力、装备水平、环保要求和能源价格等运行条件所限,多家具备较大规模的企业失去市场竞争力,面临或已完成重组、搬迁或破产,此部分产能也沦为无效产能。整个产业盲目发展,无序竞争,损失巨大,教训惨烈,其结果虽是市场发展所必须,但我国的损失尤其大。到2016年中期,国内曾申报准入的58家多晶硅企业只有17家在产,仅6家满产,有效的多晶硅产能是能够真正形成持续市场供应能力的产量。1997~2015年我国多晶硅产量变化如图1所示。

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    随着欧、美对我国光伏产业“双反”、多晶硅材料低价倾销等贸易战的演变,我国光伏产业在受到重创之时,积极主动自我完善与进化,得到政府、媒体和社会的广泛关注,国务院、各部委、各省市地方政府分别出台了光伏产业振兴规划与政策20多项,全面推进光伏产业结构调整升级,促进国内光伏应用。其中,《多晶硅行业准入条件》《光伏行业制造规范条件》和“领跑者计划”先后出台与实施,规范引导产业链各环节的企业健康发展。

    截至2016年9月底,我国多晶硅有效产能为22万t,全部采用三氯氢硅法,实际产量为14.5万t[7],同比增长30%;产能利用率大幅提升,达到84.6%。我国前10家企业的产量占世界总产量的91%,其中7家产能超过万吨;前5家占比达到77%,行业集中度进一步提高,产品竞争力不断增强。预计2016年全年产量为19万t,已具备实现进口替代的基础。2016年国家强基工程还支持了洛阳中硅高科技有限公司和江苏鑫华半导体材料有限公司发展电子级多晶硅,引导行业提升整体竞争能力。我国前10家多晶硅企业产能、产量见表2。

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    表2我国前10家多晶硅企业的产能与产量

    备注:2016年产量和产能数据采集截至2016年9月

    2015年国内多晶硅消费量约27.5万t,除自产的16.98万t以外,还从美国、德国及韩国等国进口10.52万t;三氯氢硅法生产的产品是当今市场的主流产品,占比90%以上。

    3  高纯多晶硅生产的技术进步

    国际上,高纯多晶硅材料的生产仍以美、德、日、韩4国为主,在政府政策鼓励和大量财政援助下,依靠自备电厂、优惠电价、财税补贴等政策支持,技术提升与产能扩张并重。传统的7家公司中,德国瓦克、美国海姆罗克、挪威REC、日本德山曹达等企业拥有雄厚的产业基础,技术、产品质量、规模效应和品牌号召力等优势明显,在市场竞争中显得游刃有余,他们依靠长单高价捆绑我国光伏产业硅片、电池片制造等下游客户,同时低价倾销抢领现货市场,绞杀我国多晶硅产业。

    国际多晶硅的生产除REC和SunEdison(MEMC)采用硅烷法外,其他均为三氯氢硅法。REC用硅烷法CVD炉生产棒状电子级超高纯多晶硅,用FBR生产粒状太阳能级多晶硅;而SunEdison用FBR生产的粒状多晶硅可同时满足太阳能级和电子级要求。以上两家企业分别在我国和韩国建立合资企业,推广转让硅烷流化床粒状多晶硅技术。REC与陕西天宏在榆林合资建设1.8万t/a生产线,项目正在实施过程中;SunEdison与韩国三星精细化工合资在韩国建设1万t/a硅烷流化床粒状多晶硅生产线,2011年开始建设,原计划2014年投产,因市场变化和技术困难而推迟,2015年的调试运行也遇到很大困难,据报道,项目投产后实际产能可达1.35万t/a。我国的徐州中能也已完成年产1.2万t硅烷流化床项目建设,正在调试过程中。

    据ITRPV预测,未来硅烷流化床粒状多晶硅的市场份额会有所增加,预计2018年有望占全球市场份额的20%[8],但以三氯氢硅法为主的格局在相当长的时期内不会有大变化,且今后相当长的时期内改良西门子法仍具有其生命力。新工艺、新方法从试验研究到工业化生产,仍需市场的检验与认可,但最终能否生存、能否成为革命性的方法,主要集中体现在安全、环保、质量、大规模化和成本5大要素上。近年来,三氯氢硅法和硅烷法的技术都得到持续提升,在我国的提升尤为显著,行业技术进步主要体现在以下几方面。

    3.1三氯氢硅法的技术进步

    1)CVD炉技术依靠精细化设计,综合利用热能,装置大型化,提升了单炉产量,显著降低电耗。通过计算机模拟计算,优化进料口分布,设计各种进气喷嘴,满足还原炉内热场、流场、物料浓度分布均匀,在降低电耗、物耗的条件下,更有助于生长出硅棒表面平整、直径均匀、致密的优质多晶硅。目前我国多晶硅CVD炉运行的主流设备为改进型24对棒、36对棒、40对棒、48对棒等炉型,单炉产量7~12t;多晶硅还原电耗从2009年的120kWh/kg-Si降至55kWh/kg-Si以下,先进技术的多晶硅还原电耗达到40kWh/kg-Si,且还原电耗以热的形式加以回收利用,行业的利用率已达到75%以上[9];多晶硅生产全流程综合电耗从2009年的200kWh/kg-Si降至约85kWh/kg-Si,降幅超过50%,扣去还原电耗75%转化为热而回收利用的部分,实际多晶硅综合电耗只有43.75kWh/kg-Si,达到国际先进水平。随着现有工艺的进一步优化,三氯氢硅法全流程的综合电耗有望在70kWh/kg-Si以下。

    2)冷氢化普遍应用,高效回收副产物。国内在产多晶硅企业中,几乎无一例外的实施了冷氢化技改,以此处理副产物SiCl4。近3年来,在产多晶硅企业技改新增总冷氢化能力达到年产SiHCl3145万t,单套装置最大氢化能力达到15万t/a。氢化生产SiHCl3电耗约0.5kWh/kg-TCS,与热氢化电耗2~3kWh/kg-TCS比较,氢化环节节约能耗70%以上。按照多晶硅与SiCl4产出比1∶20计算,折合为多晶硅电耗30~50kWh/kg-Si。冷氢化单套系统规模大、操作稳定、能耗低,有效促进了多晶硅综合能耗和成本的降低。

    3)副产物综合利用。三氯氢硅法工艺中,副产物包括SiCl4、SiH2Cl2和HCl等。SiCl4主要采用氢化技术将其变成SiHCl3原料,经提纯后返回系统使用;多数公司将副产物SiH2Cl2与SiCl4在催化剂条件下反歧化生产SiHCl3,经提纯后返回系统使用;HCl送SiHCl3合成或直接送冷氢化,与硅反应,参与多晶硅的原料制备,借此措施大幅降低多晶硅原料消耗,按硅计算,硅耗已从1.35kg/kg-Si降低到1.2kg/kg-Si以下,降低幅度10%以上。

    4)提纯系统优化与综合节能。借助吸附除杂、SiHCl3高效筛板与填料组合的加压精馏提纯,以及提纯耦合技术的开发与应用,在提升产品质量的同时,大幅降低多晶硅能耗。典型企业的蒸汽消耗从2009年的200t/t-Si降低到目前的30t/t-Si以下,蒸汽消耗降低70%以上,加压耦合提纯技术还取消或减少了塔顶循环水消耗,降低幅度为45%~70%[11]。

    5)安全与环保。多晶硅生产曾被认为是一个“高污染”的行业,起因于多晶硅生产过程中的副产物SiCl4,每产1t多晶硅副产SiCl4约10~20t。早期我国多晶硅生产技术较为落后,若处理不善,可能会导致环境污染或安全事故,所以SiCl4被“妖魔化”。SiCl4可以做为多晶硅的原料,利用氢化技术,可将其低成本转化为SiHCl3,返回系统使用;也可用于生产国家鼓励发展的高科技产品气相白炭黑、有机硅等,都是降低多晶硅生产成本的有效手段。这些年,国内企业提升技术、强化管理,环保部门常态化在线监测,民众的环保意识也逐渐加强。

    3.2硅烷法的技术进步

    由于硅烷含硅87.5%,而SiHCl3含硅仅20.7%,硅烷易分解,分解产生的尾气主要是H2,在同等规模的多晶硅工厂中,多晶硅生产工序和尾气回收工序的物料周转量少,硅烷分解温度低、电耗低,便于采用FBR连续生产,为高电价地区寻求更低成本的多晶硅生产技术创造条件。硅烷法虽然也有几十年的产业化历史,但其易燃、易爆的突出特点和安全隐忧,限制了其被广泛地推广应用,硅烷制备前的工序仍需能源与成本,需要综合考虑。

    3.2.1硅烷来源

    1)美国REC、中国徐州中能、陕西天宏引进的技术及其他在研究的企业都以SiCl4为原料,采用现有三氯氢硅法工艺中的冷氢化技术将SiCl4转化为SiHCl3,再将SiHCl3歧化生产硅烷,歧化过程中产生的SiCl4返回冷氢化系统,循环使用。

    2)美国SunEdison工厂以磷肥厂副产物SiF4为原料,与NaAlH4反应生成硅烷,Al和Na以AlF3、NaF的盐类回收,现已停产。SunEdison在韩国新建工厂已改用SiCl4冷氢化制备SiHCl3,再用SiHCl3歧化工艺制备硅烷。

    在韩国新建工厂已改用SiCl4冷氢化制备SiHCl3,再用SiHCl3歧化工艺制备硅烷。

    3.2.2多晶硅反应器

    1)FBR。FBR用来生产粒状多晶硅,实现连续化生产,采用晶种,不用硅芯,世界硅烷法粒状多晶硅的反应器情况见表3。

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    表3世界硅烷法粒状多晶硅的FBR装置情况

    由表3可知,新建工程的FBR均有不同程度放大,美国REC与陕西天宏合资采用FBR设备,其综合电耗40kWh/kg-Si;徐州中能也是新设计加压反应器;SunEdison在韩国的合资企业采用高压FBR,其稳定运行情况有待实践的检验。

    2)硅烷法CVD炉主要用来生产超高纯(11~13N)多晶硅,用做区熔(FZ)原料,仅美国REC工厂在产,多晶硅CVD炉直接电耗100~120kWh/kg。另外,据德国SST的宣传资料,其硅烷法CVD炉生产多晶硅直接电耗可达40kWh/kg以下。

    4  高纯多晶硅的成本

    在满足多晶硅质量、安全和环保的前提下,产品竞争最终体现在成本。多晶硅成本项目包括:能源消耗、原材料、人力、设备维护保养、折旧、研发费用、财务费用、管理费用等,三氯氢硅法和硅烷法的分类一样,只是比例不同。以三氯氢硅法为例的成本内容及比例见表4。

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    表4三氯氢硅法多晶硅成本内容和比例

    其中,现金成本=项1+项2+项3+项4+项5+项7+项8+项9;生产成本=项1+项2+项3+项4+项5+项6;综合成本=生产成本+项7+项8+项9,或综合成本=现金成本+项6。

    由表4可知,生产成本中,能源(电力、蒸汽、水等)、原料(Si、SiHCl3、SiCl4等)和折旧是多晶硅生产中比例最大的3项成本,分别占总成本的39%~46%、21%~19%、19%~12%;排在第4位的是设备维护和保养费,占8%~10%,剩下是人力成本和其他费用。当然,决定成本的关键还是对应项目的消耗量和对应项的价格,直接影响成本和比例;降低多晶硅生产成本的关键还是控制多晶硅的能源成本、原料成本和折旧。某代表企业采用三氯氢硅法生产多晶硅的能源消耗变化见表5。
 
    由表5可知,基于三氯氢硅法的多晶硅生产能源消耗降低明显,2009年的综合能耗为40.06kgce/kg,2015年的综合能耗低于12.99kgce/kg,约降低了67.6%。未来降低能耗仍是多晶硅成本降低的有效手段。

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    表5多晶硅生产能源消耗变化

    除了降低能耗外,更多的企业降低多晶硅成本的方法是寻找能源丰富且价格低廉的地区建厂。如日本三菱、德国瓦克在美国建厂,可享受2美分/kWh的优惠电价;日本德山在马来西亚的工厂也可享受优惠的水电电价;在我国新疆、内蒙古等地建厂也可享受0.20~0.38元/kWh的较低电价。从国家层面上,更应鼓励技术先进、能耗低的企业健康发展。

    对于原料消耗,Si、SiHCl3、SiCl4等原料消耗最终集中体现在硅耗上。目前先进企业的指标已达到1.2kg硅粉/kg-Si以下,降低空间极为有限。

    折旧是对生产成本影响较大的一项,折旧=固定资产投资/(折旧年限×产量),与设备和建筑物的折旧年限、每个时间段的产量直接相关。

    随着技术进步和装备大型化,高纯多晶硅的投资大幅降低。以年产10000t多晶硅、固定投资15亿元为例计算,固定投资中,设备占75%、建筑物占25%,年实际产量为8000t,根据不同折旧年限条件计算折旧如表6所示。

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    表6折旧年限取值对成本的影响

    由表6可知,折旧年限与产量决定了多晶硅的折旧成本,最大差2倍以上;还有企业部分固定资产采用租赁方式,将租赁费用计入财务费用,由此带来的结果是企业毛利率高。所以,企业在对外报生产成本时,明示对应条件很重要,最终还需看综合成本。

    多晶硅的综合成本受企业的技术研发投入、银行贷款(财务费用)和管理费用影响,有些企业贷款额度很大,财务费用就高,但各企业间差异很大,不具备系统比较的条件。

    对于增值税影响方面,通常成本中不含增值税,但市场销售价格一般含税,增值税税率一般为17%。如某企业的生产成本为12美元/kg、综合成本为16.5美元/kg,市场售价为18美元/kg时依然亏损,只有在销售价格为19.31美元/kg时盈亏平衡。虽是常识,但选择性宣传容易引起行业外或政府的误解或误导。

    据报道,2016年第3季度REC多晶硅产量为3900Mt,流化床多晶硅现金成本为12美元/kg[13],据此前报道的该公司折旧约为5.5美元/kg推算,综合成本为17.5美元/kg。大全新能源表示,其第4季度多晶硅平均生产成本已降至9.74美元/kg[14];四川永祥多晶硅也曾报道多晶硅的生产成本已降至8万元/t[15]。这些报道,难以判断其综合成本。国外某公司近期的宣传材料中,对两种方法的成本作了详细对比分析[16],可供参考(见图2)。

    光伏发电商业化应用对多晶硅生产成本的持续降低将形成持久性的压力。在当前阶段,多晶硅技术还未取得革命性突破时,多晶硅企业能否生存下来,其成本与国际一流企业的差距是一个简单而明确的判断标准。

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    图2国外某公司测算的成本

    5  高纯多晶硅产业竞争新格局

    5.1产业前景广阔

    新能源应用将引发新的工业革命,世界主要发达国家都把光伏发电作为新能源应用的重点,美国也将其作为制造业回归的重要支撑产业。我国在光伏行业强劲发展的背景下,2015年宣布《强化应对气候变化行动——中国国家自主贡献》,计划2030年CO2排放达到峰值且将努力早日达峰、一次能源消费下降到42亿吨标准煤(2015年消费39.65亿吨标准煤,占世界50%)、非化石能源占一次能源消费比重提高到20%左右,为《巴黎协定》得到世界主要国家认同起到表率作用;现已有73个国家正式批准了气候变化《巴黎协定》,这些国家的温室气体排放量占全球总量的58%以上,使《巴黎协定》跨过了生效所需的两道门槛,并将于2016年11月4日正式生效[16]。

    我国为达到上述非化石能源占一次能源消费比重20%这一目标,2020年我国光伏总装机至少要达到150GW,即2015~2020年平均年装机20GW;到2030年我国光伏总装机达到400GW,即2021~2030年平均年装机25GW;到2050年,我国光伏总装机2000GW,即2031~2050年平均年装机80GW。根据国际能源署(IEA)预测,到2050年,太阳能或将成为全球最大的电力来源,占比27%,其中光伏和光热分别占总电力16%和11%,年减排CO260亿t。我国当前的环境压力、雾霾困扰,增强了以上计划实施的动力[17]。

    5.2多晶硅长单接近尾声,市场竞争趋向公平

    近10年间,多晶硅在2008年和2010年间分别出现严重供不应求的局面,多晶硅价格最高达到450美元/kg,全球的硅片及晶硅电池厂商纷纷与多晶硅企业签订5年、8年、10年等多晶硅供应长单,且多为以40~90美元/kg的长单“优惠价格”预定大量多晶硅;随着欧美的经济危机和债务危机蔓延,这些国家和地区的经济持续低迷,对光伏产业的补贴和支持大幅减少,导致全球光伏产能出现阶段性过剩,短期供求关系发生变化,再加上多晶硅技术进步带来成本的大幅降低,使多晶硅市场价格迅速下滑,2016年初下降至20美元/kg以下,期间有些订单通过支付高额违约金解除合同[18,19],也有大部分5年、8年期合同执行到期,仅剩少量长单。过去欧、美、韩、日等国的多晶硅企业依靠长单锁定利润、捆绑下游客户,同时低价倾销抢占我国现货市场,打击我国新生多晶硅企业;目前为止,长单执行接近尾声,多晶硅市场迎来相对公平时期。

    受价格持续低迷、盈利能力降低的影响,多晶硅产业结束了前几年的高利润增长期,逐渐步入薄利期;多晶硅企业也在调整发展战略,将快速扩张转为精细化管理,部分企业的扩产计划也被暂停或搁置。美国的多晶硅企业首次愿意把多晶硅技术转让给中国,如REC公司先关停了其在美国的三氯氢硅法多晶硅工厂(该工厂产能约为2400t),2016年又宣布关闭部分美国硅烷法流化床粒状硅生产线,转而积极推销技术,与中国企业合资新建多晶硅工厂。近期还有国外多晶硅企业的停产、破产或股权转让消息,高纯多晶硅迎来竞争新格局。

    5.3技术进步确保安全环保,高纯多晶硅满足国内市场需求

    在严峻的形势下,我国的多晶硅企业依靠技术创新,持续开展技术改造,提升技术水平和装备能力,综合利用系统能量,循环利用系统物料,降低能源和物料消耗,提高质量、降低成本,不断提升多晶硅产业的核心竞争力,保证国家战略性材料的产业安全。

    随着多晶硅技术进步,能源消耗和环境影响有了更大改观,国内主流研究机构也全面研究了光伏产业的环境影响问题,从第三方的角度剖析了整个产业全生命周期[20]污染物的排放情况,明确了晶体硅太阳电池生命周期内污染物的排放量、种类、治理途径及达标排放情况等;通过对行业各环节的详细调查研究,明确了早期西方媒体舆论误导的真实目的,给中央及各级地方政府决策提供了权威依据,光伏也成为国家领导人向世界推荐的名片产品,成为中国向世界庄严承诺减排温室气体的有利支撑。

    6  结论与建议

    多晶硅产业兴起仅10年的时间,虽成就巨大,但也损失惨重。我国几百亿的投资产能随风而去,国际市场化的竞争凸现出我们的盲目与稚嫩;在行业最困难时期,三氯氢硅法技术进步加快,能耗、物耗和成本显著降低,硅烷法流化床技术研究和产业化也初见成效。

    行业微利、竞争激烈已成多晶硅产业的新常态,围绕优质、节能、低耗、环保、安全等任务还有持续研发的必要,全世界产能过剩的局面依然存在,在逆境中成长、在逆境中坚持、在逆势中谋变是历史前进的必然。随着市场的变化,有些省份、有些企业还在大举扩张,以大求存,实则有违市场规律,需要政府严格管理,控制产能扩张,避免陷于“越做越大、越做越亏”的境地。毕竟,行业不盈利是不可持续的。

    金融危机是暂时的,能源、环境危机是长久的,日本核电危机、我国雾霾加重后,推广安全、清洁、可持续发展的能源,太阳能是最佳选择。多晶硅是人类清洁利用太阳能的基础材料,目前还有企业家正在努力将多晶硅工厂建在新疆等电价低廉的地区,或采用煤炭坑口电站、孤网运行,以降低能源价格,利用业内已有的技术成就和人才,低成本建设,并期望低成本运行,有可能带来新一轮的激烈竞争与淘汰。

    为减少国家损失,建议国家电网公司参照欧美政策,给中原地区等内地多晶硅企业以优惠的电价,支持拥有先进技术和低能耗、低物耗的多晶硅企业发展高纯多晶硅这个“高载能”材料,或允许这些多晶硅企业跨地区购买新能源电力用于生产高纯多晶硅,化解我国新能源界“弃风弃光”的困局;同时利用多晶硅材料制备技术国家工程实验室平台,进一步研究新技术,提质、降耗、降本,使我国高纯多晶硅行业的竞争力提升到新境界。
 
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责任编辑:殷鹏飞


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标签: 高纯多晶硅, 三氯氢硅法, 硅烷法, 技术进步, 成本

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